Справочник MOSFET. SSM630GP

 

SSM630GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM630GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SSM630GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM630GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  silicon standard
 ssm630gp.pdf pdf_icon

SSM630GP

SSM630GPN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM630GP achieves fast switching performanceBVDSS 200Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 400msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 9AD Pb-free; RoHS-compliant TO-220The SSM630GP is in TO-220 for thr

Другие MOSFET... SSM5H12TU , SSM5H16TU , SSM5H90ATU , SSM5P15FE , SSM60T03GH , SSM60T03GJ , SSM60T03GP , SSM60T03GS , 50N06 , SSM6618M , SSM6679GM , SSM6680GM , SSM6923O , SSM6G18NU , SSM6H19NU , SSM6J216FE , SSM6J414TU .

History: WMK53N65F2 | AP9918J | R6509KNX | NCEP025N30G | TPP60R3K4C | NCE0130KA

 

 
Back to Top

 


 
.