SSM630GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM630GP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM630GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM630GP даташит

 ..1. Size:623K  silicon standard
 ssm630gp.pdf pdf_icon

SSM630GP

SSM630GP N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM630GP achieves fast switching performance BVDSS 200V with low gate charge without a complex drive circuit. It is RDS(ON) 400m suitable for low voltage applications such as DC/DC converters and general load-switching circuits. I 9A D Pb-free; RoHS-compliant TO-220 The SSM630GP is in TO-220 for thr

Другие IGBT... SSM5H12TU, SSM5H16TU, SSM5H90ATU, SSM5P15FE, SSM60T03GH, SSM60T03GJ, SSM60T03GP, SSM60T03GS, 50N06, SSM6618M, SSM6679GM, SSM6680GM, SSM6923O, SSM6G18NU, SSM6H19NU, SSM6J216FE, SSM6J414TU