Справочник MOSFET. SSM630GP

 

SSM630GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM630GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для SSM630GP

 

 

SSM630GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  silicon standard
 ssm630gp.pdf

SSM630GP SSM630GP

SSM630GPN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM630GP achieves fast switching performanceBVDSS 200Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 400msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 9AD Pb-free; RoHS-compliant TO-220The SSM630GP is in TO-220 for thr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top