SSM6H19NU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM6H19NU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm

Encapsulados: UDFN6

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SSM6H19NU datasheet

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SSM6H19NU

SSM6H19NU Composite Devices Silicon N-Channel MOS/Epitaxial Schottky Barrier SSM6H19NU SSM6H19NU SSM6H19NU SSM6H19NU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) N-channel MOSFET and a schottky barrier diode in one package. 2.1. MOSFET Features 2.1. MOSFET Features 2.1. MOSFET Features

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