SSM6H19NU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM6H19NU
   Código: KE5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 2.2 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 26 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: UDFN6

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SSM6H19NU Datasheet (PDF)

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SSM6H19NUComposite Devices Silicon N-Channel MOS/Epitaxial Schottky BarrierSSM6H19NUSSM6H19NUSSM6H19NUSSM6H19NU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) N-channel MOSFET and a schottky barrier diode in one package.2.1. MOSFET Features2.1. MOSFET Features2.1. MOSFET Features

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Liste

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