SSM6H19NU Todos los transistores

 

SSM6H19NU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM6H19NU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: UDFN6
 

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SSM6H19NU Datasheet (PDF)

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SSM6H19NU

SSM6H19NUComposite Devices Silicon N-Channel MOS/Epitaxial Schottky BarrierSSM6H19NUSSM6H19NUSSM6H19NUSSM6H19NU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) N-channel MOSFET and a schottky barrier diode in one package.2.1. MOSFET Features2.1. MOSFET Features2.1. MOSFET Features

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History: IPD80R900P7 | IPG16N10S4L-61A | IPD90N10S4-06 | IXFB60N80P | MEE3710T

 

 
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