Справочник MOSFET. SSM6H19NU

 

SSM6H19NU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM6H19NU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: UDFN6
 

 Аналог (замена) для SSM6H19NU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6H19NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  toshiba
 ssm6h19nu.pdf pdf_icon

SSM6H19NU

SSM6H19NUComposite Devices Silicon N-Channel MOS/Epitaxial Schottky BarrierSSM6H19NUSSM6H19NUSSM6H19NUSSM6H19NU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) N-channel MOSFET and a schottky barrier diode in one package.2.1. MOSFET Features2.1. MOSFET Features2.1. MOSFET Features

Другие MOSFET... SSM60T03GP , SSM60T03GS , SSM630GP , SSM6618M , SSM6679GM , SSM6680GM , SSM6923O , SSM6G18NU , IRF640N , SSM6J216FE , SSM6J414TU , SSM6J505NU , SSM6J507NU , SSM6J512NU , SSM6J771G , SSM6K217FE , SSM6K504NU .

 

 
Back to Top

 


 
.