SSM6H19NU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM6H19NU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm

Тип корпуса: UDFN6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM6H19NU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6H19NU даташит

 ..1. Size:257K  toshiba
 ssm6h19nu.pdf pdf_icon

SSM6H19NU

SSM6H19NU Composite Devices Silicon N-Channel MOS/Epitaxial Schottky Barrier SSM6H19NU SSM6H19NU SSM6H19NU SSM6H19NU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) N-channel MOSFET and a schottky barrier diode in one package. 2.1. MOSFET Features 2.1. MOSFET Features 2.1. MOSFET Features

Другие IGBT... SSM60T03GP, SSM60T03GS, SSM630GP, SSM6618M, SSM6679GM, SSM6680GM, SSM6923O, SSM6G18NU, IRFB4110, SSM6J216FE, SSM6J414TU, SSM6J505NU, SSM6J507NU, SSM6J512NU, SSM6J771G, SSM6K217FE, SSM6K504NU