SSM72T02GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM72T02GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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SSM72T02GH Datasheet (PDF)

..1. Size:168K silicon standard
ssm72t02gh.pdf

SSM72T02GHN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 25VRDS(ON) 9mSimple Drive Requirement Low On-ResistanceID 62AGFast Switching CharacteristicSDESCRIPTION The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. GDS TO-252(H)provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

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Liste

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