SSM72T02GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM72T02GH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 62 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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SSM72T02GH Datasheet (PDF)
..1. Size:168K silicon standard
ssm72t02gh.pdf
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SSM72T02GHN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 25VRDS(ON) 9mSimple Drive Requirement Low On-ResistanceID 62AGFast Switching CharacteristicSDESCRIPTION The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. GDS TO-252(H)provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
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