SSM72T02GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM72T02GH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
- Selección de transistores por parámetros
SSM72T02GH Datasheet (PDF)
ssm72t02gh.pdf

SSM72T02GHN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 25VRDS(ON) 9mSimple Drive Requirement Low On-ResistanceID 62AGFast Switching CharacteristicSDESCRIPTION The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. GDS TO-252(H)provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: PSMN063-150D | FK25SM-6 | CEU11P20 | 4N70KG-TF2-T | HY3208AP | MTEE2N20FP | PK600BA
History: PSMN063-150D | FK25SM-6 | CEU11P20 | 4N70KG-TF2-T | HY3208AP | MTEE2N20FP | PK600BA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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