SSM72T02GH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM72T02GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SSM72T02GH
SSM72T02GH Datasheet (PDF)
..1. Size:168K silicon standard
ssm72t02gh.pdf
ssm72t02gh.pdf
SSM72T02GHN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 25VRDS(ON) 9mSimple Drive Requirement Low On-ResistanceID 62AGFast Switching CharacteristicSDESCRIPTION The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. GDS TO-252(H)provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
