SSM75T10GP Todos los transistores

 

SSM75T10GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM75T10GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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SSM75T10GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  silicon standard
 ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf pdf_icon

SSM75T10GP

SSM75T10GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BV 100VDSSDSimple drive requirement R 15mDS(ON)Fast switching I 72ADGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S)for low voltage applications such as

Otros transistores... SSM6N7002CFU , SSM6N7002KFU , SSM7002DGU , SSM7002EGU , SSM7002KGEN , SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , 5N60 , SSM75T10GS , SSM7811GM , SSM85T03GH , SSM85T03GJ , SSM85T08GP , SSM90T03GH , SSM90T03GJ , SSM90T03GP .

History: NCE60N640F | IPB06N03LA | BUK9M7R2-40E

 

 
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