SSM75T10GP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM75T10GP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SSM75T10GP datasheet

 ..1. Size:292K  silicon standard
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SSM75T10GP

SSM75T10GP,S N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BV 100V DSS D Simple drive requirement R 15m DS(ON) Fast switching I 72A D G Pb-free, RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used for D S commercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S) for low voltage applications such as

Otros transistores... SSM6N7002CFU, SSM6N7002KFU, SSM7002DGU, SSM7002EGU, SSM7002KGEN, SSM70T03GH, SSM70T03GJ, SSM72T02GH, IRLB4132, SSM75T10GS, SSM7811GM, SSM85T03GH, SSM85T03GJ, SSM85T08GP, SSM90T03GH, SSM90T03GJ, SSM90T03GP