Справочник MOSFET. SSM75T10GP

 

SSM75T10GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM75T10GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SSM75T10GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM75T10GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  silicon standard
 ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf pdf_icon

SSM75T10GP

SSM75T10GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BV 100VDSSDSimple drive requirement R 15mDS(ON)Fast switching I 72ADGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S)for low voltage applications such as

Другие MOSFET... SSM6N7002CFU , SSM6N7002KFU , SSM7002DGU , SSM7002EGU , SSM7002KGEN , SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , 5N60 , SSM75T10GS , SSM7811GM , SSM85T03GH , SSM85T03GJ , SSM85T08GP , SSM90T03GH , SSM90T03GJ , SSM90T03GP .

History: IRF7466 | NCE50N540K | SQJ148EP | ASDM3080KQ | IRFS241 | SWI4N70K | IRFF9133

 

 
Back to Top

 


 
.