SSM75T10GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM75T10GP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM75T10GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM75T10GP даташит

 ..1. Size:292K  silicon standard
 ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf pdf_icon

SSM75T10GP

SSM75T10GP,S N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BV 100V DSS D Simple drive requirement R 15m DS(ON) Fast switching I 72A D G Pb-free, RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used for D S commercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S) for low voltage applications such as

Другие IGBT... SSM6N7002CFU, SSM6N7002KFU, SSM7002DGU, SSM7002EGU, SSM7002KGEN, SSM70T03GH, SSM70T03GJ, SSM72T02GH, IRLB4132, SSM75T10GS, SSM7811GM, SSM85T03GH, SSM85T03GJ, SSM85T08GP, SSM90T03GH, SSM90T03GJ, SSM90T03GP