SSM75T10GS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM75T10GS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 138 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 72 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 69 nC
   Tiempo de subida (tr): 75 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 540 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM75T10GS

SSM75T10GS Datasheet (PDF)

..1. Size:292K silicon standard
ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf

SSM75T10GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BV 100VDSSDSimple drive requirement R 15mDS(ON)Fast switching I 72ADGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S)for low voltage applications such as

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: