SSM75T10GS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM75T10GS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SSM75T10GS MOSFET
SSM75T10GS Datasheet (PDF)
ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf

SSM75T10GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BV 100VDSSDSimple drive requirement R 15mDS(ON)Fast switching I 72ADGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S)for low voltage applications such as
Otros transistores... SSM6N7002KFU , SSM7002DGU , SSM7002EGU , SSM7002KGEN , SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , SSM75T10GP , AO3400 , SSM7811GM , SSM85T03GH , SSM85T03GJ , SSM85T08GP , SSM90T03GH , SSM90T03GJ , SSM90T03GP , SSM90T03GS .
History: SI2301DS | 2N6659-LCC4 | CS8N80FA9H | SM7360EKQG | 2SK795 | AP25N10GJ-HF | RQJ0202VGDQA
History: SI2301DS | 2N6659-LCC4 | CS8N80FA9H | SM7360EKQG | 2SK795 | AP25N10GJ-HF | RQJ0202VGDQA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0608PU | JMSL0608PP | JMSL0608PK | JMSL0608PGD | JMSL0608PG | JMSL0606PU | JMSL0606PG | JMSL0606PE | JMSL0606AUQ | JMSL0606AU | JMSL0606AP | JMSL0606AKQ | JMSL0606AK | JMSL0606AGWQ | JMSL0606AGQ | JMSL0606AGD
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