SSM75T10GS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM75T10GS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SSM75T10GS MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SSM75T10GS datasheet
ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf
SSM75T10GP,S N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BV 100V DSS D Simple drive requirement R 15m DS(ON) Fast switching I 72A D G Pb-free, RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used for D S commercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S) for low voltage applications such as
Otros transistores... SSM6N7002KFU , SSM7002DGU , SSM7002EGU , SSM7002KGEN , SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , SSM75T10GP , AO3401 , SSM7811GM , SSM85T03GH , SSM85T03GJ , SSM85T08GP , SSM90T03GH , SSM90T03GJ , SSM90T03GP , SSM90T03GS .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845