SSM75T10GS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM75T10GS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 72 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 69 nC
Время нарастания (tr): 75 ns
Выходная емкость (Cd): 540 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SSM75T10GS
SSM75T10GS Datasheet (PDF)
..1. Size:292K silicon standard
ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf
ssm75t10gp ssm75t10gs.pdf
SSM75T10GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BV 100VDSSDSimple drive requirement R 15mDS(ON)Fast switching I 72ADGPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM75T10GS is in a TO-263 package, which is widely used forDScommercial and industrial surface mount applications, and is well suited TO-263 (S)for low voltage applications such as
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
