SSM7811GM Todos los transistores

 

SSM7811GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM7811GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSM7811GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  silicon standard
 ssm7811gm.pdf pdf_icon

SSM7811GM

SSM7811GMN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM7811GM acheives fast switching performanceBVDSS 25Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 12mis suitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 11.8AD The SSM7811GM is supplied in an RoHS-compliantPb-free; Ro

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History: BLF6G27-100 | HCFL60R190

 

 
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