SSM7811GM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM7811GM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SSM7811GM datasheet

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SSM7811GM

SSM7811GM N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM7811GM acheives fast switching performance BVDSS 25V with low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 12m is suitable for low voltage applications such as DC/DC converters and general load-switching circuits. I 11.8A D The SSM7811GM is supplied in an RoHS-compliant Pb-free; Ro

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