SSM7811GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM7811GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 32 nC
   Tiempo de subida (tr): 28 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SSM7811GM Datasheet (PDF)

..1. Size:595K silicon standard
ssm7811gm.pdf

SSM7811GMN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM7811GM acheives fast switching performanceBVDSS 25Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 12mis suitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 11.8AD The SSM7811GM is supplied in an RoHS-compliantPb-free; Ro

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Liste

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