SSM7811GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM7811GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM7811GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM7811GM даташит

 ..1. Size:595K  silicon standard
 ssm7811gm.pdf pdf_icon

SSM7811GM

SSM7811GM N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM7811GM acheives fast switching performance BVDSS 25V with low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 12m is suitable for low voltage applications such as DC/DC converters and general load-switching circuits. I 11.8A D The SSM7811GM is supplied in an RoHS-compliant Pb-free; Ro

Другие IGBT... SSM7002DGU, SSM7002EGU, SSM7002KGEN, SSM70T03GH, SSM70T03GJ, SSM72T02GH, SSM75T10GP, SSM75T10GS, K3569, SSM85T03GH, SSM85T03GJ, SSM85T08GP, SSM90T03GH, SSM90T03GJ, SSM90T03GP, SSM90T03GS, SSM9406GM