SSM7811GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM7811GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 28 ns
Выходная емкость (Cd): 460 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SSM7811GM Datasheet (PDF)
..1. Size:595K silicon standard
ssm7811gm.pdf
ssm7811gm.pdf
SSM7811GMN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM7811GM acheives fast switching performanceBVDSS 25Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 12mis suitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 11.8AD The SSM7811GM is supplied in an RoHS-compliantPb-free; Ro
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
