SSM85T03GJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM85T03GJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SSM85T03GJ datasheet

 ..1. Size:287K  silicon standard
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SSM85T03GJ

SSM85T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement R 6m DS(ON) Fast switching ID 75A G Pb-free; RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for D S TO-252 (H) commercial and industrial surface mount applications, and is well suited for low voltage applications such as DC/DC

 7.1. Size:180K  silicon standard
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SSM85T03GJ

SSM85T08GP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13m Low On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75A G S DESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

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