SSM85T03GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM85T03GJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 77 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 550 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM85T03GJ
SSM85T03GJ Datasheet (PDF)
ssm85t03gh ssm85t03gj.pdf
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SSM85T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 6mDS(ON) Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC
ssm85t08gp.pdf
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SSM85T08GPN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 80VSimple Drive Requirement RDS(ON) 13mLow On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75AGSDESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven
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