Справочник MOSFET. SSM85T03GJ

 

SSM85T03GJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM85T03GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 77 ns
   Выходная емкость (Cd): 550 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для SSM85T03GJ

 

 

SSM85T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  silicon standard
ssm85t03gh ssm85t03gj.pdf

SSM85T03GJ SSM85T03GJ

SSM85T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 6mDS(ON) Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM85T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

 7.1. Size:180K  silicon standard
ssm85t08gp.pdf

SSM85T03GJ SSM85T03GJ

SSM85T08GPN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 80VSimple Drive Requirement RDS(ON) 13mLow On-resistance Fast Switching Characteristic ID 75AGSDESCRIPTION The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiven

Другие MOSFET... SSM7002KGEN , SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , SSM75T10GP , SSM75T10GS , SSM7811GM , SSM85T03GH , 4435 , SSM85T08GP , SSM90T03GH , SSM90T03GJ , SSM90T03GP , SSM90T03GS , SSM9406GM , SSM9408GH , SSM9410GM .

 

 
Back to Top