SSM9620M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM9620M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 30 nC
   Tiempo de subida (tr): 500 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 845 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM9620M

SSM9620M Datasheet (PDF)

..1. Size:144K silicon standard
ssm9620m.pdf

SSM9620MP-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS -20VDDCapable of 2.5V drive D R 20mDS(ON)DFast switching ID -9.5AGSimple drive requirement SSSO-8SDescriptionDPower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.ST

9.1. Size:248K silicon standard
ssm9685m.pdf

SSM9685MN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSimple drive requirement BV 80VDSSDDLower gate charge R 45mDS(ON)DDFast switching characteristics ID 5.3AGSSSO-8SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching, ruggedizeddevice design, low on-resistance and cost-effectiveness.GS

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Liste

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