SSM9620M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM9620M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 845 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SSM9620M datasheet

 ..1. Size:144K  silicon standard
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SSM9620M

SSM9620M P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS -20V D D Capable of 2.5V drive D R 20m DS(ON) D Fast switching ID -9.5A G Simple drive requirement S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. S T

 9.1. Size:248K  silicon standard
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SSM9620M

SSM9685M N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Simple drive requirement BV 80V DSS D D Lower gate charge R 45m DS(ON) D D Fast switching characteristics ID 5.3A G S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. G S

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