SSM9620M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM9620M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 845 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM9620M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM9620M даташит

 ..1. Size:144K  silicon standard
 ssm9620m.pdf pdf_icon

SSM9620M

SSM9620M P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS -20V D D Capable of 2.5V drive D R 20m DS(ON) D Fast switching ID -9.5A G Simple drive requirement S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. S T

 9.1. Size:248K  silicon standard
 ssm9685m.pdf pdf_icon

SSM9620M

SSM9685M N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Simple drive requirement BV 80V DSS D D Lower gate charge R 45m DS(ON) D D Fast switching characteristics ID 5.3A G S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. G S

Другие IGBT... SSM9564GM, SSM9567GM, SSM9575M, SSM9585GM, SSM9585GP, SSM95T06GP, SSM95T06GS, SSM95T07GP, 5N60, SSM9685M, SSM9915GH, SSM9915GJ, SSM9915K, SSM9916GH, SSM9916GJ, SSM9918GH, SSM9918GJ