SSN1N45BBU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSN1N45BBU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.25 Ohm

Encapsulados: TO-92

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SSN1N45BBU datasheet

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SSN1N45BBU

SSN1N45B 450V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

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SSN1N45BBU

SSN1N45B 450V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

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