SSN1N45BBU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSN1N45BBU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de SSN1N45BBU MOSFET
SSN1N45BBU Datasheet (PDF)
ssn1n45bbu ssn1n45bta.pdf
SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes
ssn1n45b.pdf
SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes
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History: IRFB3207ZG | SSB80R240SFD | NCEP088NH150GU | NP110N03PUG | TK8R2A06PL | NP33N075YDF | IRLSL4030PBF
History: IRFB3207ZG | SSB80R240SFD | NCEP088NH150GU | NP110N03PUG | TK8R2A06PL | NP33N075YDF | IRLSL4030PBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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