Справочник MOSFET. SSN1N45BBU

 

SSN1N45BBU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSN1N45BBU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 50 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для SSN1N45BBU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSN1N45BBU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 ssn1n45bbu ssn1n45bta.pdf pdf_icon

SSN1N45BBU

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

 6.1. Size:667K  fairchild semi
 ssn1n45b.pdf pdf_icon

SSN1N45BBU

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

Другие MOSFET... SSM9977GJ , SSM9977GM , SSM9980GH , SSM9980GJ , SSM9980M , SSM9985GM , SSM9987GH , SSM9987GM , IRFZ44 , SSN1N45BTA , SSP3N90 , SSP45N20B , SSP4N60B , SSP4N80 , SSP5N90 , SSR1N45 , SSR1N60B .

History: SSD20N10-250D | SWN6N80D | IRF8714G

 

 
Back to Top

 


 
.