SSP45N20B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSP45N20B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 133 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 340 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSP45N20B

SSP45N20B Datasheet (PDF)

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ssp45n20b.pdf

November 2001SSP45N20B/SSS45N20B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored

..2. Size:914K fairchild semi
ssp45n20b sss45n20b.pdf

6.1. Size:818K samsung
ssp45n20a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.065 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 35 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.054 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: