SSP45N20B datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SSP45N20B 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SSP45N20B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSP45N20B даташит
ssp45n20b.pdf
November 2001 SSP45N20B/SSS45N20B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology has been especially tailored
ssp45n20b sss45n20b.pdf
November 2001 SSP45N20B/SSS45N20B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology has been especially tailored
ssp45n20a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.065 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 35 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.054 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V
Другие IGBT... SSM9980GJ, SSM9980M, SSM9985GM, SSM9987GH, SSM9987GM, SSN1N45BBU, SSN1N45BTA, SSP3N90, IRLZ44N, SSP4N60B, SSP4N80, SSP5N90, SSR1N45, SSR1N60B, SSR1N60BTM, SSR2N60B, SSRK7002LT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383



