SSR1N60BTM Todos los transistores

 

SSR1N60BTM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSR1N60BTM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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SSR1N60BTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

 7.2. Size:502K  samsung
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SSR1N60BTM

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 0.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 9.390 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

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History: SL2302 | 2SK399 | IXFH96N20P | NTD4805N-1G | OSG60R038HT3ZF | STFI34N65M5

 

 
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