SSR1N60BTM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSR1N60BTM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSR1N60BTM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSR1N60BTM даташит

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

November 2001 SSR1N60B / SSU1N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

 7.2. Size:502K  samsung
 ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 0.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) 9.390 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSN1N45BTA, SSP3N90, SSP45N20B, SSP4N60B, SSP4N80, SSP5N90, SSR1N45, SSR1N60B, IRF3710, SSR2N60B, SSRK7002LT1G, SSS4N60B, SSSF11NS65UF, SST174, SST175, SST176, SST177