Справочник MOSFET. SSR1N60BTM

 

SSR1N60BTM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSR1N60BTM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для SSR1N60BTM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSR1N60BTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

 7.2. Size:502K  samsung
 ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 0.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 9.390 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSR1N60BTM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSN1N45BTA , SSP3N90 , SSP45N20B , SSP4N60B , SSP4N80 , SSP5N90 , SSR1N45 , SSR1N60B , P55NF06 , SSR2N60B , SSRK7002LT1G , SSS4N60B , SSSF11NS65UF , SST174 , SST175 , SST176 , SST177 .

History: PJM2302NSA-S | 2SK1850

 

 
Back to Top

 


 
.