SSRK7002LT1G Todos los transistores

 

SSRK7002LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSRK7002LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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SSRK7002LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  lrc
 ssrk7002lt1g.pdf pdf_icon

SSRK7002LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT SSRK7002LT1GMODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 3Low On-Resistance Fast Switching Speed 1Low-voltage drive 2Easily designed drive circuits SOT-23Pb-Free Package is available. The suffix G means Pb-free package 3ESD Protected:1000VOrdering Information(Pb-free) 1Device Marking Shipping SSRK7002LT1G RS 30

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History: IRHMJ57260SE | SSM6N09FU | IPD036N04L | AM3456NE | NCEP045N85 | NDP6020P | 2N4856A

 

 
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