SSRK7002LT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSRK7002LT1G 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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SSRK7002LT1G datasheet
ssrk7002lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT SSRK7002LT1G MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 3 Low On-Resistance Fast Switching Speed 1 Low-voltage drive 2 Easily designed drive circuits SOT-23 Pb-Free Package is available. The suffix G means Pb-free package 3 ESD Protected 1000V Ordering Information(Pb-free) 1 Device Marking Shipping SSRK7002LT1G RS 30
Otros transistores... SSP45N20B, SSP4N60B, SSP4N80, SSP5N90, SSR1N45, SSR1N60B, SSR1N60BTM, SSR2N60B, AON6414A, SSS4N60B, SSSF11NS65UF, SST174, SST175, SST176, SST177, SST4391, SST4392
History: SST175 | CWDM305N | SSR1N60BTM | NTMD5836NLR2G
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Liste
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