SSRK7002LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSRK7002LT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSRK7002LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRK7002LT1G даташит

 ..1. Size:432K  lrc
 ssrk7002lt1g.pdf pdf_icon

SSRK7002LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT SSRK7002LT1G MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 3 Low On-Resistance Fast Switching Speed 1 Low-voltage drive 2 Easily designed drive circuits SOT-23 Pb-Free Package is available. The suffix G means Pb-free package 3 ESD Protected 1000V Ordering Information(Pb-free) 1 Device Marking Shipping SSRK7002LT1G RS 30

Другие IGBT... SSP45N20B, SSP4N60B, SSP4N80, SSP5N90, SSR1N45, SSR1N60B, SSR1N60BTM, SSR2N60B, AON6414A, SSS4N60B, SSSF11NS65UF, SST174, SST175, SST176, SST177, SST4391, SST4392