Справочник MOSFET. SSRK7002LT1G

 

SSRK7002LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSRK7002LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SSRK7002LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRK7002LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  lrc
 ssrk7002lt1g.pdf pdf_icon

SSRK7002LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT SSRK7002LT1GMODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 3Low On-Resistance Fast Switching Speed 1Low-voltage drive 2Easily designed drive circuits SOT-23Pb-Free Package is available. The suffix G means Pb-free package 3ESD Protected:1000VOrdering Information(Pb-free) 1Device Marking Shipping SSRK7002LT1G RS 30

Другие MOSFET... SSP45N20B , SSP4N60B , SSP4N80 , SSP5N90 , SSR1N45 , SSR1N60B , SSR1N60BTM , SSR2N60B , IRFB4110 , SSS4N60B , SSSF11NS65UF , SST174 , SST175 , SST176 , SST177 , SST4391 , SST4392 .

History: P3606NEA | AOB7S60 | IXFH88N20Q | H4N65D | AF10N60S | IRLU014N

 

 
Back to Top

 


 
.