SSSF11NS65UF Todos los transistores

 

SSSF11NS65UF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSSF11NS65UF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SSSF11NS65UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  silikron
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SSSF11NS65UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

Otros transistores... SSP4N80 , SSP5N90 , SSR1N45 , SSR1N60B , SSR1N60BTM , SSR2N60B , SSRK7002LT1G , SSS4N60B , IRF9540 , SST174 , SST175 , SST176 , SST177 , SST4391 , SST4392 , SST4393 , SST440 .

History: RSD175N10 | NDS9955 | IRL1404ZPBF | SSM3K318R | NCEP048N85M | IRL1404PBF | AP6P090J

 

 
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