SSSF11NS65UF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSSF11NS65UF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 34 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SSSF11NS65UF
SSSF11NS65UF Datasheet (PDF)
..1. Size:434K silikron
sssf11ns65uf.pdf
sssf11ns65uf.pdf
SSF11NS65UF Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
