SSSF11NS65UF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSSF11NS65UF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SSSF11NS65UF
SSSF11NS65UF Datasheet (PDF)
sssf11ns65uf.pdf

SSF11NS65UF Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new
Другие MOSFET... SSP4N80 , SSP5N90 , SSR1N45 , SSR1N60B , SSR1N60BTM , SSR2N60B , SSRK7002LT1G , SSS4N60B , IRFP250N , SST174 , SST175 , SST176 , SST177 , SST4391 , SST4392 , SST4393 , SST440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018