SSSF11NS65UF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSSF11NS65UF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSSF11NS65UF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSSF11NS65UF даташит

 ..1. Size:434K  silikron
 sssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSSF11NS65UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

Другие IGBT... SSP4N80, SSP5N90, SSR1N45, SSR1N60B, SSR1N60BTM, SSR2N60B, SSRK7002LT1G, SSS4N60B, 2N7000, SST174, SST175, SST176, SST177, SST4391, SST4392, SST4393, SST440