Справочник MOSFET. SSSF11NS65UF

 

SSSF11NS65UF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSSF11NS65UF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SSSF11NS65UF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSSF11NS65UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  silikron
 sssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSSF11NS65UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

Другие MOSFET... SSP4N80 , SSP5N90 , SSR1N45 , SSR1N60B , SSR1N60BTM , SSR2N60B , SSRK7002LT1G , SSS4N60B , IRF9540 , SST174 , SST175 , SST176 , SST177 , SST4391 , SST4392 , SST4393 , SST440 .

History: IPI120N10S4-03 | WMJ90N65C4 | BSN304 | AM7341P | IRHQ57110 | IPP60R022S7 | SI3812DV

 

 
Back to Top

 


 
.