SSU2N60B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSU2N60B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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SSU2N60B datasheet

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SSU2N60B

November 2001 SSR2N60B / SSU2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

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SSU2N60B

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SSU2N60B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 4.688 (Typ.) 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Val

Otros transistores... SST4393, SST440, SST441, SST4416, SSTSD201, SSTSD203, SSU1N45, SSU1N60B, K3569, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AFC2519W, AFC3326WS