SSU2N60B Todos los transistores

 

SSU2N60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSU2N60B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
 

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SSU2N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  fairchild semi
 ssr2n60b ssu2n60b.pdf pdf_icon

SSU2N60B

November 2001SSR2N60B / SSU2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:201K  1
 ssu2n60a ssr2n60a.pdf pdf_icon

SSU2N60B

 9.1. Size:498K  samsung
 ssu2n80a.pdf pdf_icon

SSU2N60B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 4.688 (Typ.)1231. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val

Otros transistores... SST4393 , SST440 , SST441 , SST4416 , SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SPP20N60C3 , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS .

History: SD214DE | FTD02N70 | BSN304 | KU2303Q | STP24N65M2 | GP28S50XN220FP | HFW10N60S

 

 
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