SSU2N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSU2N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSU2N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU2N60B даташит

 ..1. Size:645K  fairchild semi
 ssr2n60b ssu2n60b.pdf pdf_icon

SSU2N60B

November 2001 SSR2N60B / SSU2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:201K  1
 ssu2n60a ssr2n60a.pdf pdf_icon

SSU2N60B

 9.1. Size:498K  samsung
 ssu2n80a.pdf pdf_icon

SSU2N60B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 4.688 (Typ.) 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Val

Другие IGBT... SST4393, SST440, SST441, SST4416, SSTSD201, SSTSD203, SSU1N45, SSU1N60B, K3569, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AFC2519W, AFC3326WS