Справочник MOSFET. SSU2N60B

 

SSU2N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSU2N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для SSU2N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU2N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  fairchild semi
 ssr2n60b ssu2n60b.pdf pdf_icon

SSU2N60B

November 2001SSR2N60B / SSU2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:201K  1
 ssu2n60a ssr2n60a.pdf pdf_icon

SSU2N60B

 9.1. Size:498K  samsung
 ssu2n80a.pdf pdf_icon

SSU2N60B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 4.688 (Typ.)1231. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val

Другие MOSFET... SST4393 , SST440 , SST441 , SST4416 , SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SPP20N60C3 , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS .

History: KMB3D0P30SA | APT901R3BN | PZ5203EMAA

 

 
Back to Top

 


 
.