AF15N50 Todos los transistores

 

AF15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF15N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN-5?6-8
 

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AF15N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  bcdsemi
 af15n50.pdf pdf_icon

AF15N50

Data Sheet 50V N-Channel MOSFET AF15N50 Features General Description Typ RDS(ON)=14.32m @ VGS=10V, ID=15A This N-Channel MOSFET has been designed Typ RDS(ON)=16.36m @ VGS=4.5V, ID=15A specifically to improve the overall efficiency and to RoHS Compliantminimize switch node ringing of DC-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM

 9.1. Size:743K  fairchild semi
 fqaf15n70.pdf pdf_icon

AF15N50

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 700V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 700V, RDS(on) = 0.56 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 70 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has b

Otros transistores... SST4416 , SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , IRF9540N , AFC1016 , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S .

History: IPB60R099P7 | BLC75N120-BG

 

 
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