AF15N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AF15N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: PDFN-5?6-8

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AF15N50 datasheet

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AF15N50

Data Sheet 50V N-Channel MOSFET AF15N50 Features General Description Typ RDS(ON)=14.32m @ VGS=10V, ID=15A This N-Channel MOSFET has been designed Typ RDS(ON)=16.36m @ VGS=4.5V, ID=15A specifically to improve the overall efficiency and to RoHS Compliant minimize switch node ringing of DC-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM

 9.1. Size:743K  fairchild semi
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AF15N50

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 700V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 700V, RDS(on) = 0.56 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 70 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF) This advanced technology has b

Otros transistores... SST4416, SSTSD201, SSTSD203, SSU1N45, SSU1N60B, SSU2N60B, SSW2N60B, SSW4N60B, SPP20N60C3, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AFC2519W, AFC3326WS, AFC3346W, AFC3366W, AFC4510S