AF15N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AF15N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 14.85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: PDFN-5?6-8
AF15N50 Datasheet (PDF)
af15n50.pdf
Data Sheet 50V N-Channel MOSFET AF15N50 Features General Description Typ RDS(ON)=14.32m @ VGS=10V, ID=15A This N-Channel MOSFET has been designed Typ RDS(ON)=16.36m @ VGS=4.5V, ID=15A specifically to improve the overall efficiency and to RoHS Compliantminimize switch node ringing of DC-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM
fqaf15n70.pdf
April 2000TMQFETQFETQFETQFET 700V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 700V, RDS(on) = 0.56 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 70 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has b
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
