AFC1016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFC1016
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-563
Búsqueda de reemplazo de AFC1016 MOSFET
AFC1016 Datasheet (PDF)
afc1016.pdf
AFC1016 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1016, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.6A,RDS(ON)= 360m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.5A,RDS(ON)= 420m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.4A,RDS(ON)= 560m
Otros transistores... SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , SKD502T , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet

