AFC1016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFC1016
   Código: C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.06 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFC1016

AFC1016 Datasheet (PDF)

..1. Size:1114K alfa-mos
afc1016.pdf

AFC1016 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1016, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.6A,RDS(ON)= 360m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.5A,RDS(ON)= 420m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.4A,RDS(ON)= 560m

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: