AFC1016 Todos los transistores

 

AFC1016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC1016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563
 

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AFC1016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  alfa-mos
 afc1016.pdf pdf_icon

AFC1016

AFC1016 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1016, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.6A,RDS(ON)= 360m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.5A,RDS(ON)= 420m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.4A,RDS(ON)= 560m

Otros transistores... SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , IRF9540N , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 .

History: CEM3172 | IXFY9130 | P1160JD | LSD60R092GT | AFC1539 | FIR6N60FG | CEA3252

 

 
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