AFC1016 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC1016  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: SOT-563

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC1016

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC1016 даташит

 ..1. Size:1114K  alfa-mos
 afc1016.pdf pdf_icon

AFC1016

AFC1016 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1016, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.6A,RDS(ON)= 360m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.5A,RDS(ON)= 420m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.4A,RDS(ON)= 560m

Другие IGBT... SSTSD201, SSTSD203, SSU1N45, SSU1N60B, SSU2N60B, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, SKD502T, AFC1539, AFC1563, AFC2519W, AFC3326WS, AFC3346W, AFC3366W, AFC4510S, AFC4516