AFC1016 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AFC1016
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
Аналог (замена) для AFC1016
AFC1016 Datasheet (PDF)
afc1016.pdf

AFC1016 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1016, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.6A,RDS(ON)= 360m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.5A,RDS(ON)= 420m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.4A,RDS(ON)= 560m
Другие MOSFET... SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , IRF9540N , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 .
History: HAT2204C | SIA533EDJ | IPA80R600P7 | SSM6K407TU | NCEP080N12 | PMV90ENE | AP6N3R7MT-L
History: HAT2204C | SIA533EDJ | IPA80R600P7 | SSM6K407TU | NCEP080N12 | PMV90ENE | AP6N3R7MT-L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet