Справочник MOSFET. AFC1016

 

AFC1016 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC1016
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для AFC1016

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC1016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  alfa-mos
 afc1016.pdf pdf_icon

AFC1016

AFC1016 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1016, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.6A,RDS(ON)= 360m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.5A,RDS(ON)= 420m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.4A,RDS(ON)= 560m

Другие MOSFET... SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , IRF9540N , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 .

History: STU27N3LH5 | FTK1013 | OSG70R350DF

 

 
Back to Top

 


 
.