AFC2519W Todos los transistores

 

AFC2519W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC2519W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFC2519W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1272K  alfa-mos
 afc2519w.pdf pdf_icon

AFC2519W

AFC2519W Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC2519W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/2.4A,RDS(ON)=80m@VG

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSP65R600S2 | WMO10N65C4 | SSM3K302T | NCEP60T20 | SM8A05NSFP | SVF10N60STR | IRFSL4127

 

 
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