AFC2519W Todos los transistores

 

AFC2519W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC2519W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
 

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AFC2519W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1272K  alfa-mos
 afc2519w.pdf pdf_icon

AFC2519W

AFC2519W Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC2519W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/2.4A,RDS(ON)=80m@VG

Otros transistores... SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 , AFC1539 , AFC1563 , 5N60 , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 , AFC4516W , AFC4539S , AFC4539WS .

History: BLC75N120-BG | IPB60R099P7

 

 
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