Справочник MOSFET. AFC2519W

 

AFC2519W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC2519W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для AFC2519W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC2519W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1272K  alfa-mos
 afc2519w.pdf pdf_icon

AFC2519W

AFC2519W Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC2519W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/2.4A,RDS(ON)=80m@VG

Другие MOSFET... SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 , AFC1539 , AFC1563 , RFP50N06 , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 , AFC4516W , AFC4539S , AFC4539WS .

History: SIA441DJ | NCEP30T19G

 

 
Back to Top

 


 
.