AFC2519W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC2519W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC2519W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC2519W даташит

 ..1. Size:1272K  alfa-mos
 afc2519w.pdf pdf_icon

AFC2519W

AFC2519W Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC2519W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/2.4A,RDS(ON)=80m @VG

Другие IGBT... SSU1N60B, SSU2N60B, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AON7410, AFC3326WS, AFC3346W, AFC3366W, AFC4510S, AFC4516, AFC4516W, AFC4539S, AFC4539WS