AFC3326WS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFC3326WS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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AFC3326WS datasheet

 ..1. Size:898K  alfa-mos
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AFC3326WS

AFC3326WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3326WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/12A,RDS(ON)=36m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/10A,RDS(ON)=46m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag

 9.1. Size:1000K  alfa-mos
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AFC3326WS

AFC3346W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3346W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 28m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 38m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag

 9.2. Size:935K  alfa-mos
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AFC3326WS

AFC3366W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3366W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=48m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/10A,RDS(ON)=54m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power managem

Otros transistores... SSU2N60B, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AFC2519W, 12N60, AFC3346W, AFC3366W, AFC4510S, AFC4516, AFC4516W, AFC4539S, AFC4539WS, AFC4559