Справочник MOSFET. AFC3326WS

 

AFC3326WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFC3326WS
   Маркировка: 3326WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для AFC3326WS

 

 

AFC3326WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  alfa-mos
 afc3326ws.pdf

AFC3326WS AFC3326WS

AFC3326WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3326WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/12A,RDS(ON)=36m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/10A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag

 9.1. Size:1000K  alfa-mos
 afc3346w.pdf

AFC3326WS AFC3326WS

AFC3346W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3346W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 28m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 38m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power manag

 9.2. Size:935K  alfa-mos
 afc3366w.pdf

AFC3326WS AFC3326WS

AFC3366W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC3366W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=48m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/10A,RDS(ON)=54m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power managem

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top