AFC5521 Todos los transistores

 

AFC5521 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC5521
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4L
 

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AFC5521 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1014K  alfa-mos
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AFC5521

AFC5521 Alfa-MOS 100V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5521, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/5.0A,RDS(ON)= 110m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/3.0A,RDS(ON)= 120m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage p

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History: FQB7N65CTM | WMK80R1K5S

 

 
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