AFC5521 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC5521  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO-252-4L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC5521

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC5521 даташит

 ..1. Size:1014K  alfa-mos
 afc5521.pdf pdf_icon

AFC5521

AFC5521 Alfa-MOS 100V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5521, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/5.0A,RDS(ON)= 110m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/3.0A,RDS(ON)= 120m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage p

Другие IGBT... AFC4510S, AFC4516, AFC4516W, AFC4539S, AFC4539WS, AFC4559, AFC4599, AFC4604W, TK10A60D, AFC5604, AFC5606, AFC6332, AFC6601, AFC6602, AFC6604, AFC8562, AFN02N60T220FT