Справочник MOSFET. AFC5521

 

AFC5521 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC5521
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC5521 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1014K  alfa-mos
 afc5521.pdf pdf_icon

AFC5521

AFC5521 Alfa-MOS 100V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5521, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/5.0A,RDS(ON)= 110m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/3.0A,RDS(ON)= 120m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage p

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FC8J3304 | KQB3N30 | AP92T03GP | R6576KNZ1 | JFPC10N60CI | AP30T10GM-HF | BL7N65B-U

 

 
Back to Top

 


 
.