Справочник MOSFET. AFC5521

 

AFC5521 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC5521
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L
 

 Аналог (замена) для AFC5521

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC5521 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1014K  alfa-mos
 afc5521.pdf pdf_icon

AFC5521

AFC5521 Alfa-MOS 100V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5521, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/5.0A,RDS(ON)= 110m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/3.0A,RDS(ON)= 120m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage p

Другие MOSFET... AFC4510S , AFC4516 , AFC4516W , AFC4539S , AFC4539WS , AFC4559 , AFC4599 , AFC4604W , IRFZ24N , AFC5604 , AFC5606 , AFC6332 , AFC6601 , AFC6602 , AFC6604 , AFC8562 , AFN02N60T220FT .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.