AFC5606 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFC5606  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO-252-4L

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AFC5606 datasheet

 ..1. Size:1051K  alfa-mos
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AFC5606

AFC5606 Alfa-MOS 60V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/15A,RDS(ON)=42m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

 8.1. Size:1117K  alfa-mos
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AFC5606

AFC5604 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 20m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 30m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

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