AFC5606 Todos los transistores

 

AFC5606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC5606
   Código: 5606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFC5606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  alfa-mos
 afc5606.pdf pdf_icon

AFC5606

AFC5606 Alfa-MOS 60V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

 8.1. Size:1117K  alfa-mos
 afc5604.pdf pdf_icon

AFC5606

AFC5604 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 20m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 30m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

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