Справочник MOSFET. AFC5606

 

AFC5606 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFC5606
   Маркировка: 5606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L

 Аналог (замена) для AFC5606

 

 

AFC5606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  alfa-mos
 afc5606.pdf

AFC5606 AFC5606

AFC5606 Alfa-MOS 60V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

 8.1. Size:1117K  alfa-mos
 afc5604.pdf

AFC5606 AFC5606

AFC5604 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 20m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 30m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top