AFC5606 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC5606  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO-252-4L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC5606

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC5606 даташит

 ..1. Size:1051K  alfa-mos
 afc5606.pdf pdf_icon

AFC5606

AFC5606 Alfa-MOS 60V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/15A,RDS(ON)=42m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

 8.1. Size:1117K  alfa-mos
 afc5604.pdf pdf_icon

AFC5606

AFC5604 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 20m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 30m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

Другие IGBT... AFC4516W, AFC4539S, AFC4539WS, AFC4559, AFC4599, AFC4604W, AFC5521, AFC5604, BS170, AFC6332, AFC6601, AFC6602, AFC6604, AFC8562, AFN02N60T220FT, AFN02N60T220T, AFN02N60T251T