Справочник MOSFET. AFC5606

 

AFC5606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC5606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L
 

 Аналог (замена) для AFC5606

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC5606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  alfa-mos
 afc5606.pdf pdf_icon

AFC5606

AFC5606 Alfa-MOS 60V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5606, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/15A,RDS(ON)=42m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/12A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

 8.1. Size:1117K  alfa-mos
 afc5604.pdf pdf_icon

AFC5606

AFC5604 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC5604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 20m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/12A,RDS(ON)= 30m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

Другие MOSFET... AFC4516W , AFC4539S , AFC4539WS , AFC4559 , AFC4599 , AFC4604W , AFC5521 , AFC5604 , 18N50 , AFC6332 , AFC6601 , AFC6602 , AFC6604 , AFC8562 , AFN02N60T220FT , AFN02N60T220T , AFN02N60T251T .

 

 
Back to Top

 


 
.