IRLR2703 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLR2703
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) VQgⓘ - Carga de la puerta: 15(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de IRLR2703 MOSFET
IRLR2703 Datasheet (PDF)
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PD- 95083AIRLR/U2703PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-Resistance DVDSS = 30Vl Surface Mount (IRLR2703)l Straight Lead (IRLU2703)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.045Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 23ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te
irlu2703pbf irlr2703pbf.pdf

PD- 95083AIRLR/U2703PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-Resistance DVDSS = 30Vl Surface Mount (IRLR2703)l Straight Lead (IRLU2703)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.045Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 23ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te
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PD- 9.1335BIRLR/U2703PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V Surface Mount (IRLR2703) Straight Lead (IRLU2703)RDS(on) = 0.045G Advanced Process Technology Fast SwitchingID = 23A S Fully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to
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isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR2703, IIRLR2703FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)45mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-
Otros transistores... IRLR024N , IRLR110A , IRLR120A , IRLR120N , IRLR130A , IRLR210A , IRLR220A , IRLR230A , IRFZ46N , IRLR2705 , IRLR2905 , IRLR3103 , IRLR3303 , IRLR3410 , IRLS510A , IRLS520A , IRLS530A .



Liste
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