AFC8562 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFC8562  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8P

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AFC8562 datasheet

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AFC8562

AFC8562 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC8562, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/5.4A,RDS(ON)=27m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/3.0A,RDS(ON)=44m @VG

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