AFC8562 Todos los transistores

 

AFC8562 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC8562
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8P
 

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AFC8562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1016K  alfa-mos
 afc8562.pdf pdf_icon

AFC8562

AFC8562 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC8562, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/5.4A,RDS(ON)=27m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/3.0A,RDS(ON)=44m@VG

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History: SI7634BDP | BL3N100-P | BL3N100-A | NP84N04NHE

 

 
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