AFC8562 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC8562  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC8562

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC8562 даташит

 ..1. Size:1016K  alfa-mos
 afc8562.pdf pdf_icon

AFC8562

AFC8562 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC8562, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/5.4A,RDS(ON)=27m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/3.0A,RDS(ON)=44m @VG

Другие IGBT... AFC4604W, AFC5521, AFC5604, AFC5606, AFC6332, AFC6601, AFC6602, AFC6604, 10N65, AFN02N60T220FT, AFN02N60T220T, AFN02N60T251T, AFN04N60T220FT, AFN04N60T220T, AFN04N60T251T, AFN06N60T220FT, AFN06N60T251T