Справочник MOSFET. AFC8562

 

AFC8562 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC8562
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFC8562

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC8562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1016K  alfa-mos
 afc8562.pdf pdf_icon

AFC8562

AFC8562 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC8562, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/5.4A,RDS(ON)=27m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/3.0A,RDS(ON)=44m@VG

Другие MOSFET... AFC4604W , AFC5521 , AFC5604 , AFC5606 , AFC6332 , AFC6601 , AFC6602 , AFC6604 , STP80NF70 , AFN02N60T220FT , AFN02N60T220T , AFN02N60T251T , AFN04N60T220FT , AFN04N60T220T , AFN04N60T251T , AFN06N60T220FT , AFN06N60T251T .

History: IXFT16N80P | SM2603PSC | NCV8402D | WFU4N60 | VS4401AMH

 

 
Back to Top

 


 
.