AFN02N60T251T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN02N60T251T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO-251

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AFN02N60T251T datasheet

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AFN02N60T251T

AFN02N60 Alfa-MOS 600V / 2A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN02N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/1A,RDS(ON)=4.2 (MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

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