AFN02N60T251T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN02N60T251T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN02N60T251T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN02N60T251T даташит

 ..1. Size:756K  alfa-mos
 afn02n60t220ft afn02n60t220t afn02n60t251t.pdf pdf_icon

AFN02N60T251T

AFN02N60 Alfa-MOS 600V / 2A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN02N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/1A,RDS(ON)=4.2 (MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

Другие IGBT... AFC5606, AFC6332, AFC6601, AFC6602, AFC6604, AFC8562, AFN02N60T220FT, AFN02N60T220T, SI2302, AFN04N60T220FT, AFN04N60T220T, AFN04N60T251T, AFN06N60T220FT, AFN06N60T251T, AFN07N65T220FT, AFN07N65T220T, AFN08N50T220FT