Справочник MOSFET. AFN02N60T251T

 

AFN02N60T251T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN02N60T251T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для AFN02N60T251T

 

 

AFN02N60T251T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  alfa-mos
 afn02n60t220ft afn02n60t220t afn02n60t251t.pdf

AFN02N60T251T AFN02N60T251T

AFN02N60 Alfa-MOS 600V / 2A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN02N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/1A,RDS(ON)=4.2(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top