AFN07N65T220T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFN07N65T220T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 145 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 15.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 48 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 98.6 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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AFN07N65T220T Datasheet (PDF)

..1. Size:460K alfa-mos
afn07n65t220ft afn07n65t220t.pdf

AFN07N65 Alfa-MOS 650V / 7A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN07N65 is an N-channel enhancement mode Power 650V/3.5A,RDS(ON)=1.4(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-sta

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History: SL12N100

Liste

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