AFN07N65T220T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN07N65T220T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN07N65T220T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN07N65T220T даташит

 ..1. Size:460K  alfa-mos
 afn07n65t220ft afn07n65t220t.pdf pdf_icon

AFN07N65T220T

AFN07N65 Alfa-MOS 650V / 7A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN07N65 is an N-channel enhancement mode Power 650V/3.5A,RDS(ON)=1.4 (MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-sta

Другие IGBT... AFN02N60T220T, AFN02N60T251T, AFN04N60T220FT, AFN04N60T220T, AFN04N60T251T, AFN06N60T220FT, AFN06N60T251T, AFN07N65T220FT, IRFZ24N, AFN08N50T220FT, AFN08N50T220T, AFN1012, AFN1012E, AFN1024, AFN1024E, AFN1032, AFN1034