Справочник MOSFET. AFN07N65T220T

 

AFN07N65T220T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN07N65T220T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для AFN07N65T220T

 

 

AFN07N65T220T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  alfa-mos
 afn07n65t220ft afn07n65t220t.pdf

AFN07N65T220T AFN07N65T220T

AFN07N65 Alfa-MOS 650V / 7A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN07N65 is an N-channel enhancement mode Power 650V/3.5A,RDS(ON)=1.4(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-sta

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top