AFN1932 Todos los transistores

 

AFN1932 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN1932
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

 Búsqueda de reemplazo de AFN1932 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFN1932 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  alfa-mos
 afn1932.pdf pdf_icon

AFN1932

AFN1932 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1932, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A,RDS(ON)=430m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=860m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

 9.1. Size:597K  alfa-mos
 afn1912.pdf pdf_icon

AFN1932

AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

 9.2. Size:594K  alfa-mos
 afn1912e.pdf pdf_icon

AFN1932

AFN1912E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

Otros transistores... AFN1330S , AFN1443 , AFN1501S , AFN1510S , AFN1520 , AFN1530 , AFN1912 , AFN1912E , IRF740 , AFN2014 , AFN2302AS , AFN2302S , AFN2304 , AFN2304A , AFN2304AS , AFN2304S , AFN2306A .

History: DSKTJ04 | VP3203N3 | AP6N1R7CDT | AP4501AGEM-HF | SPI21N50C3 | FMP12N50E | GP2M007A065XG

 

 
Back to Top

 


 
.