Справочник MOSFET. AFN1932

 

AFN1932 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN1932
   Маркировка: 92*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для AFN1932

 

 

AFN1932 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  alfa-mos
 afn1932.pdf

AFN1932 AFN1932

AFN1932 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1932, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A,RDS(ON)=430m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=860m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

 9.1. Size:597K  alfa-mos
 afn1912.pdf

AFN1932 AFN1932

AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

 9.2. Size:594K  alfa-mos
 afn1912e.pdf

AFN1932 AFN1932

AFN1912E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... AFN1330S , AFN1443 , AFN1501S , AFN1510S , AFN1520 , AFN1530 , AFN1912 , AFN1912E , IRF740 , AFN2014 , AFN2302AS , AFN2302S , AFN2304 , AFN2304A , AFN2304AS , AFN2304S , AFN2306A .

 

 
Back to Top