AFN1932 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFN1932
Маркировка: 92*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.4 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.43 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
AFN1932 Datasheet (PDF)
afn1932.pdf
AFN1932 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1932, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A,RDS(ON)=430m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=860m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L
afn1912.pdf
AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L
afn1912e.pdf
AFN1912E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1912E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
