AFN2014 Todos los transistores

 

AFN2014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN2014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AFN2014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  alfa-mos
 afn2014.pdf pdf_icon

AFN2014

AFN2014 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2014, N-Channel enhancement mode 20V/ 10A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Otros transistores... AFN1443 , AFN1501S , AFN1510S , AFN1520 , AFN1530 , AFN1912 , AFN1912E , AFN1932 , IRF840 , AFN2302AS , AFN2302S , AFN2304 , AFN2304A , AFN2304AS , AFN2304S , AFN2306A , AFN2306AE .

History: SHD225628 | RFM15N06L | QS6K21 | HUFA75343S3ST | FDD7N25LZTM | IRFS840 | FDD86369F085

 

 
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