AFN2014 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN2014  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO-252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AFN2014 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AFN2014 datasheet

 ..1. Size:835K  alfa-mos
 afn2014.pdf pdf_icon

AFN2014

AFN2014 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2014, N-Channel enhancement mode 20V/ 10A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=17m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=21m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Otros transistores... AFN1443, AFN1501S, AFN1510S, AFN1520, AFN1530, AFN1912, AFN1912E, AFN1932, IRF840, AFN2302AS, AFN2302S, AFN2304, AFN2304A, AFN2304AS, AFN2304S, AFN2306A, AFN2306AE