AFN2014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFN2014
   Código: 2014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN2014

AFN2014 Datasheet (PDF)

..1. Size:835K alfa-mos
afn2014.pdf

AFN2014 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2014, N-Channel enhancement mode 20V/ 10A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

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Liste

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