Справочник MOSFET. AFN2014

 

AFN2014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN2014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AFN2014

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  alfa-mos
 afn2014.pdf pdf_icon

AFN2014

AFN2014 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2014, N-Channel enhancement mode 20V/ 10A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Другие MOSFET... AFN1443 , AFN1501S , AFN1510S , AFN1520 , AFN1530 , AFN1912 , AFN1912E , AFN1932 , IRF840 , AFN2302AS , AFN2302S , AFN2304 , AFN2304A , AFN2304AS , AFN2304S , AFN2306A , AFN2306AE .

History: QM3009S | RJK2017DPP | SL2308 | BSC072N03LDG | NCE60N670K | APT60M80L2VFRG

 

 
Back to Top

 


 
.