AFN2014 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN2014  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN2014

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2014 даташит

 ..1. Size:835K  alfa-mos
 afn2014.pdf pdf_icon

AFN2014

AFN2014 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2014, N-Channel enhancement mode 20V/ 10A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=17m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=21m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Другие IGBT... AFN1443, AFN1501S, AFN1510S, AFN1520, AFN1530, AFN1912, AFN1912E, AFN1932, IRF840, AFN2302AS, AFN2302S, AFN2304, AFN2304A, AFN2304AS, AFN2304S, AFN2306A, AFN2306AE